소액기술

실리사이드 형성방법

실리사이드 형성방법

기술분야 : 화학 기술유형 : 출원특허
기간 : 2019-08-02~2019-12-31 개발상태 : 시작품
보유기관 : 재료연구소 보유국가 : 국내
양도 : 1,000 만원

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기술요약

실리사이드 형성방법은, 자연산화막이 형성된 실리콘(120)을 준비하는 실리콘준비단계(S100)와, 상기 자연산화막 일측에 천이금속층(140)을 형성하는 금속층형성 단계(S200)와, 상기 천이금속층에 전자선을 조사하여 실리사이드(100)를 형성하는 전자선조사단계(S300)로 이루어지며, 상기 전자선조사단계(S300)는, 상온 이하의 온도에서 실시됨을 특징으로 함

실리사이드 형성방법에서 전자선조사단계 전/후의 실리사이드 형성 여부를 비교하기 위한 실험 사진